高超，1987年3月出生，博士毕业于浙江大学硅材料国家重点实验室博士。博士毕业后一直专注于碳化硅单晶半导体材料的制备技术开发和产业化转化，成功实现了4-12英寸导电型和高纯半绝缘型碳化硅衬底制备技术和产品突破，助力公司成为国际碳化硅领军企业，产品市占率达到全球前三并成为A股科创板第一家碳化硅上市企业。现担任公司董事、首席技术官职位，山东省碳化硅材料重点实验室主任，获评正高级工程师职称，主持和参与国家科技重大专项等国家和省部级项目十余项，授权国内国际专利74项，发表相关学术论文16篇，在半导体材料领域具有丰富的研究和产业化经验。

享受国务院特殊津贴专家，国家级青年人才，获评山东省泰山产业领军人才，入选工信部新材料重大专项项目评审专家库，2020年以第一完成人获得山东省科技进步一等奖一项。

技术创新介绍

相继突破了高纯半绝缘SiC衬底、导电n型和p型SiC制备技术和产业化，支撑了5G基站、新能源汽车、智能电网等新基建领域关键半导体应用。

2024年突破了全球最大尺寸12英寸(300mm) SiC制备技术并全球首发了12英寸SiC衬底，引领行业迈入超大尺寸SiC时代。

凭借12英寸SiC技术突破获得第31届国际半导体年度奖金奖，是该奖项设立以来首次授予中国企业，也是该奖项历史上首次将最高荣誉授予碳化硅衬底材料技术，标志着中国在半导体关键基础材料领域实现了历史性的重大突破。